จำนวนชิ้น | ส่วนลดต่อชิ้น | ราคาสุทธิต่อชิ้น |
{{(typeof focus_pdata.price_list[idx+1] == 'undefined')?('≥ '+price_row.min_quantity):((price_row.min_quantity < (focus_pdata.price_list[idx+1].min_quantity - 1))?(price_row.min_quantity+' - '+(focus_pdata.price_list[idx+1].min_quantity - 1)):price_row.min_quantity)}} | {{number_format(((focus_pdata.price_old === null)?focus_pdata.price:focus_pdata.price_old) - price_row.price,2)}} บาท | {{number_format(price_row.price,2)}} บาท |
คงเหลือ | 21 ชิ้น |
จำนวน (ชิ้น) |
- +
|
ซื้อเลย หยิบลงตะกร้า ซื้อเลย หยิบลงตะกร้า คุณมีสินค้าชิ้นนี้ในตะกร้า 0 ชิ้น
|
|
|
|
คุยกับร้านค้า | |
{{ size_chart_name }} |
|
หมวดหมู่ | Transistor SMD |
สภาพ | สินค้าใหม่ |
เพิ่มเติม | |
สภาพ | สินค้ามือสอง |
เกรด | |
สถานะสินค้า | |
ระยะเวลาจัดเตรียมสินค้า | |
เข้าร่วมโปรโมชั่น | |
ช่องทางชำระเงิน | ![]() |
ไฮไลท์ |
IRG7R313U
MOS
TO-252
|
ข้อมูล |
น้ำหนัก
บาร์โค้ด
ลงสินค้า
อัพเดทล่าสุด
|
รายละเอียดสินค้า |
IRG7R313U MOS TO-252
Datasheet (ไม่มีการรับประกัน) Features
Advanced Trench IGBT Technology
Optimized for Sustain and Energy Recovery
circuits in PDP applications
Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)
for improved panel efficiency
High repetitive peak current capability
Lead Free package Description
This IGBT is specifically designed for applications in Plasma Display Panels. This device utilizes advanced
trench IGBT technology to achieve low VCE(on) and low EPULSETM rating per silicon area which improve panel
efficiency. Additional features are 150°C operating junction temperature and high repetitive peak current
capability. These features combine to make this IGBT a highly efficient, robust and reliable device for PDP
applications
![]() ![]() ![]() ![]() |
เงื่อนไขอื่นๆ |
|
Tags |
**กรุณาเลือกช่องทางติดต่อตามข้อสงสัยของคุณ ในกรณีที่คุณไม่สามารถติดต่อเจ้าของร้านได้ สามารถติดต่อมายังทีมงาน LnwPay แล้วเราจะช่วยเหลือคุณจนถึงที่สุด