จำนวนชิ้น | ส่วนลดต่อชิ้น | ราคาสุทธิต่อชิ้น |
{{(typeof focus_pdata.price_list[idx+1] == 'undefined')?('≥ '+price_row.min_quantity):((price_row.min_quantity < (focus_pdata.price_list[idx+1].min_quantity - 1))?(price_row.min_quantity+' - '+(focus_pdata.price_list[idx+1].min_quantity - 1)):price_row.min_quantity)}} | {{number_format(((focus_pdata.price_old === null)?focus_pdata.price:focus_pdata.price_old) - price_row.price,2)}} บาท | {{number_format(price_row.price,2)}} บาท |
คงเหลือ | 5 ชิ้น |
จำนวน (ชิ้น) |
- +
|
ซื้อเลย หยิบลงตะกร้า ซื้อเลย หยิบลงตะกร้า คุณมีสินค้าชิ้นนี้ในตะกร้า 0 ชิ้น
|
|
|
|
คุยกับร้านค้า | |
{{ size_chart_name }} |
|
หมวดหมู่ | MOSFET |
สภาพ | สินค้าใหม่ |
เพิ่มเติม | |
สภาพ | สินค้ามือสอง |
เกรด | |
สถานะสินค้า | |
ระยะเวลาจัดเตรียมสินค้า | |
เข้าร่วมโปรโมชั่น | |
ช่องทางชำระเงิน | ![]() |
ไฮไลท์ |
MLD2N06CLT4G MOSFET N-CH CLAMPED 2A 62V
|
ข้อมูล |
น้ำหนัก
บาร์โค้ด
ลงสินค้า
อัพเดทล่าสุด
|
รายละเอียดสินค้า |
MLD2N06CLT4G MOSFET N-CH CLAMPED 2A 62V L2N06CLG
Datasheet (ไม่มีการรับประกัน) The MLD2N06CL is designed for applications that require a rugged
power switching device with short circuit protection that can be
directly interfaced to a microcontrol unit (MCU). Ideal applications
include automotive fuel injector driver, incandescent lamp driver or
other applications where a high in−rush current or a shorted load
condition could occur.
This Logic Level Power MOSFET features current limiting for
short circuit protection, integrated Gate−Source clamping for ESD
protection and integral Gate−Drain clamping for over−voltage
protection and technology for low on−resistance. No additional gate
series resistance is required when interfacing to the output of a MCU,
but a 40 k gate pulldown resistor is recommended to avoid a floating
gate condition.
The internal Gate−Source and Gate−Drain clamps allow the device
to be applied without use of external transient suppression
components. The Gate−Source clamp protects the MOSFET input
from electrostatic voltage stress up to 2.0 kV. The Gate−Drain clamp
protects the MOSFET drain from the avalanche stress that occurs with
inductive loads. Their unique design provides voltage clamping that is
essentially independent of operating temperature.
Features
• Pb−Free Packages are Available
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
เงื่อนไขอื่นๆ |
|
Tags |
**กรุณาเลือกช่องทางติดต่อตามข้อสงสัยของคุณ ในกรณีที่คุณไม่สามารถติดต่อเจ้าของร้านได้ สามารถติดต่อมายังทีมงาน LnwPay แล้วเราจะช่วยเหลือคุณจนถึงที่สุด